设备用途

    用于制备导电薄膜、半导体薄膜、铁电薄膜、光学薄膜等，广泛应用于大专院校、科研机构的科研及小批量生产。

 

设备组成

    系统主要由蒸发真空室、E型电子枪、热蒸发电极、旋转基片加热台、工作气路、抽气系统、真空测量、电控系统及安装机台等部分组成。

极限真空度：≤6.67×10^-5Pa；

抽速：45分钟可达到6.67×10^-4Pa；

基片尺寸：4英寸x1片；

加热炉最高温度 800°C；

热阻蒸发组件：2套；

新型电子枪及电源：电子枪最大功率8KW（10KV,800mA）可调；

水冷式坩埚： 4穴坩埚，每个容量约为11 ml；

膜厚控制仪（1个探头）：1套；

分子泵系统：1套；

控制系统：用工控机进行系统操作，可显示或自动控制的功能有：电子枪、膜厚控制仪、样品旋转及加热、气路、抽气；

冷却水循环机及水路组件：1套；

离子轰击系统组件：1套；

公司：中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司 

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