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首页 » 产品中心 » LED衬底及窗口片设备 » 碳化硅晶体生长炉
设备用途
主要用于半导体和LED行业。采用中频感应加热方式，物理气相传输法生长优质光学晶体。
设备组成
本系统由沉积真空室、感应加热台系统、进样室、自动送样系统、气路系统、抽气系统、安装机台、真空测量及电控系统等部分组成。
技术指标
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型号 |
TDL85P |
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炉内真空度 |
极限真空 |
≤9.0×10-5Pa |
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拉伸机构运动时 |
≤1.0×10-4Pa |
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系统漏率 |
停泵关机24小时后真空度≤5Pa |
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炉体 |
沉积室 |
筒形立式结构，尺寸Φ900×1000 mm |
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进样室 |
尺寸Ф300×300mm |
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自动送样机构 |
慢速档速率范围 |
0.06～6㎜/h |
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快速档速率范围 |
≥50㎜/min |
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转速范围 |
0～30rpm |
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有效行程 |
500㎜ |
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额定总功率 |
35KW |
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循环水用量 |
3m3/h |
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真空配置 |
分子泵、罗茨泵、机械泵、插板阀 |
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占地面积 |
2700×1200×3000mm3（含电源） |
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