ALD单原子层薄膜生长设备 - 中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司
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ALD单原子层薄膜生长设备
编号:SN20151013151826634
类别:ALD原子层薄膜生长设备
  • 产品概述
  • 规格参数
  • 服务支持

    原子层沉积(Atomic Layer Deposition)是一种可精确控制膜层厚度的薄膜制备方法,可在基底上实现金属、氧化物、碳(氮、硫、硅)化物、各类半导体材料和超导材料等的沉积。

     

    本设备主要针对氧化锌(ZnO)为代表的透明导电薄膜和三氧化二铝(Al2O3)等介电材料膜层的生长。设备操作简单可靠,各实验参数灵活可变,能够满足高校及研究所对薄膜材料和复杂表面均匀包覆的科研需要。

    极限真空 

    5Pa

    整体真空漏率

    10-8Pa.l/s

    真空室

    真空腔体

    氩弧焊接不锈钢材料,上掀盖结构

    底部排气口

    连接真空干泵

    基片加热器

    外加热系统,室温~450连续可调

    衬底尺寸

    φ50-100mm

    膜厚均匀性

    φ100mm晶元的ZnO膜而言薄膜厚度均匀性小于±1%

    ALD工作气体输运控制气路

    液态源气路

    可按客户要求定制

    气态源气路

    可按客户要求定制

    真空排气系统

    双侧无油干式真空泵

    1

    真空管路

    1

    真空监测

    皮拉尼电阻规

    测量范围:1.0×105Pa-3×10-2Pa

    数据采集记录和人机交互界面

    1

    电器控制系统

    样品加热电源

    1

    电磁换向阀

    1

    总控制电源

    1

    安装机台

    钢材焊接,蒙板快卸,脚轮可固定可移动

    设备尺寸(长××高)

    600×600×1200 mm

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